Deposición de capa atómica en campo de recubrimiento protector
Aplicaciones
| Aplicaciones | Propósito específico |
| Capa protectora | Recubrimiento resistente a la corrosión |
| revestimiento de sellado |
Principio de funcionamiento
En un proceso de CVD tradicional, los precursores en fase gaseosa reaccionarán de forma continua o al menos parcialmente.en el ALD
proceso,sin embargo, las reacciones solo ocurren en la superficie del sustrato.Es un proceso cíclico que consta de múltiples
reacciones parciales,es decir, el sustrato contacta con los precursores en secuencia y reacciona de forma asincrónica.A cualquiera
tiempo dado, sólo partes delas reacciones ocurren en la superficie del sustrato.Estos diferentes pasos de reacción son autolimitantes,
es decir, los compuestos dela superficie sólo se puede preparar a partir deprecursores adecuados para el crecimiento de la película.Reacciones parciales
se completan cuando elya no se producen reacciones espontáneas.El procesola cámara será purgada y/o vaciada
por gas inerte entrediferentepasos de reacción para eliminar todos los contaminantes generadospor moléculas precursoras en
los procesos anteriores.
Características
| Modelo | ALD-PC-X—X |
| Sistema de película de recubrimiento | Alabama2O3,TiO2,ZnO, etc. |
| Rango de temperatura de recubrimiento | Temperatura normal a 500 ℃ (personalizable) |
| Tamaño de la cámara de vacío de recubrimiento | Diámetro interior: 1200 mm, Altura: 500 mm (Personalizable) |
| Estructura de la cámara de vacío | Según los requisitos del cliente |
| Vacío de fondo | <5×10-7mbar |
| Espesor de recubrimiento | ≥0.15nm |
| Precisión de control de espesor | ±0.1nm |
| Tamaño del recubrimiento | 200×200 mm² / 400×400 mm² / 1200×1200 mm², etc. |
| Uniformidad del espesor de la película | ≤±0,5% |
| Precursor y gas portador | Trimetilaluminio, tetracloruro de titanio, dietil zinc, agua pura, |
| Nota: Producción personalizada disponible. | |
Muestras de revestimiento
Los pasos del proceso
→ Coloque el sustrato para recubrir en la cámara de vacío;
→ Aspire la cámara de vacío a alta y baja temperatura, y gire el sustrato sincrónicamente;
→ Inicio de recubrimiento: el sustrato se pone en contacto con el precursor en secuencia y sin reacción simultánea;
→ Purgarlo con gas nitrógeno de alta pureza después de cada reacción;
→ Deje de rotar el sustrato después de que el espesor de la película alcance el estándar y la operación de purga y enfriamiento se haya completado.
completado, luego saque el sustrato después de que se cumplan las condiciones de interrupción del vacío.
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